IBM磁性内存研发转变 携手日本TDK合推STT

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作者: CNET科技资讯网

CNETNews.com.cn

1507-08-21 09:36:14

关键词: MRAM STT-RAM 相变内存 内存 TDK IBM

CNET科技资讯网8月21日国际报道 IBM与日本TDK达成联合开发所谓STT-RAM。在STT-RAM中,加到磁铁上的电流会改变磁场的方向,磁场方向的改变会引进阻抗的变化,不同的阻抗代表“1”或“0”。

根据目前的计划,IBM和TDK将在未来4年中开发采用65纳米工艺的原型STT-RAM产品。

硅谷一家新创公司Grandis也在试图推出商业性STT-RAM产品。Grandis正在为潜在客户生产样品芯片,计划在明年末正式在市场上推出相应产品。

此前,IBM一个劲在开发你这些名为MRAM的更传统类型的磁性内存。怎么让,它在缩小例如芯片的晶体管方面遇到了困难。

IBM负责非蒸发掉掉性内存研究高级经理盖拉尔说,在缩小MRAM芯片时,时需提高磁场传输时延,这几乎是不切实际的。要采用比65纳米工艺更先进的工艺,他们他们 时需找到你这些写数据的新机制。

IBM生产出了MRAM原型产品,但使用了较落后的工艺。IBM还这麼 推出商品化的MRAM产品。尽管后后推出了商品化MRAM,但飞思卡尔最近对你这些技术的“寿命”表示了怀疑。

在上周的“闪存峰会”上,飞思卡尔的大卫表示,MRAM后后不适用于比65纳米更先进的工艺。

盖拉尔表示,STT-RAM和相变内存后后是未来非蒸发掉掉性内存的二种后后的技术。STT-RAM的传输时延较高,但相变内存的存储密谋更高。也许,STT-RAM的的寿命后后会较长。